钙钛矿光伏器件界面因存在严重的非辐射复合能量损失，导致其功率转换效率与Shockley-Queisser理论极限存在较大差距。目前，对钙钛矿半导体与底部电荷传输层“埋底”界面物性的认识非常有限，限制了进一步设计更加高效的界面结构。

近日，华东师范大学保秦烨课题组及合作者通过高分辨光电子能谱原位表征技术（UPS/IPES/XPS）系统地研究了正置n-i-p器件中钙钛矿半导体和SnO2电子传输层“埋底”界面和倒置p-i-n器件中钙钛矿半导体和PEDOT:PSS空穴传输层“埋底”界面的精细电子结构特性，构建了“埋底”界面能级演变模型，从而精准指导界面调控。

研究表明，在n-i-p器件中，钙钛矿/SnO2“埋底”界面偶极和能带弯曲产生较大的电子提取势垒，导致电子界面堆积，加剧器件离子迁移，并限制准费米能级分裂和器件光电压，同时发现“埋底”界面微弱的化学反应产生缺陷俘获电子，引起载流子复合损失。在p-i-n器件中，钙钛矿/PEDOT:PSS“埋底”界面偶极和更大的能带弯曲区域形成PEDOT:PSS和钙钛矿VBM之间较大的能级偏差和更大的空穴提取势垒，引起严重的空穴提取热离子损失。该工作对指导“埋底”界面调控提出了新的思路。

S. Xiong, et al. Revealing Buried Heterointerface Energetics towards Highly Efficient Perovskite Solar Cells, Nano Energy, 2023.

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211285523001179

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